晶圓和芯片的關系

芯片是由N多個半導體器件組成半導體一般有二極管三極管場效應管小功率電阻電感電容等等。

就是在圓井中使用技術手段改變原子核的自由電子濃度改變原子多子（電子）或少子（空穴）是原子核產生正電荷或負電荷的物理特性構成各種半導體。

硅鍺是常用的半導體材料他們的特性及材質是容易大量并且成本低廉使用于上述技術的材料。

一個硅片中就是大量的半導體器件組成當然功能就是按需要將半導體組成電路而存在于硅片內封裝后就是IC了集成電路。

一個芯片有多少晶圓

這個要根據你的die的大小和wafer的大小以及良率來決定的。

目前業界所謂的6寸，12寸還是18寸晶圓其實就是晶圓直徑的簡稱，只不過這個吋是估算值。實際上的晶圓直徑是分為150mm，300mm以及450mm這三種，而12吋約等于305mm，為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。

國際上Fab廠通用的計算公式：

聰明的讀者們一定有發現公式中π*（晶圓直徑/2）的平方不就是圓面積的式子嗎？再將公式化簡的話就會變成：

X就是所謂的晶圓可切割晶片數（dpwdieperwafer）。

那麼要來考考各位的計算能力了育！

假設12吋晶圓每片造價5000美金，那麼NVIDIA最新力作GT200的晶片大小為576平方公厘，在良率50%的情況下，平均每顆成本是多少美金？

答案：USD.87.72

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科普：waferdiechip的區別

我們先從一片完整的晶圓（Wafer）說起：

一塊完整的wafer

名詞解釋：wafer即為圖片所示的晶圓，由純硅（Si）構成。一般分為6英寸、8英寸、12英寸規格不等，晶片就是基于這個wafer上生產出來的。Wafer上的一個小塊，就是一個晶片晶圓體，學名die，封裝后就成為一個顆粒。一片載有NandFlash晶圓的wafer，wafer首先經過切割，然后測試，將完好的、穩定的、足容量的die取下，封裝形成日常所見的NandFlash芯片。那么，在wafer上剩余的，要不就是不穩定，要不就是部分損壞所以不足容量，要不就是完全損壞。原廠考慮到質量保證，會將這種die宣布死亡，嚴格定義為廢品全部報廢處理。

die和wafer的關系

品質合格的die切割下去后，原來的晶圓就成了下圖的樣子，就是挑剩下的DowngradeFlashWafer。

篩選后的wafer

這些殘余的die，其實是品質不合格的晶圓。被摳走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，會被原廠封裝制作為成品NAND顆粒，而不合格的部分，也就是圖中留下的部分則當做廢品處理掉。

晶圓尺寸發展歷史（預估）

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