BSM250D17p2E004，1700V耐壓產(chǎn)品的需求高漲，采用新的芯片涂覆材料和工藝方法，絕緣擊穿，高溫高濕反偏試驗，HV-H3TRB，導通電阻降低10%。

ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設備用電源的逆變器和轉換器，開發(fā)出實現(xiàn)行業(yè)領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17p2E004”。

*截至2018年10月26日ROHM調查數(shù)據(jù)

近年來，由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異，以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車和工業(yè)設備等領域的應用日益廣泛。系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢，1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而，1700V耐壓產(chǎn)品受可靠性等因素影響，遲遲難以推出SiC產(chǎn)品，目前主要使用IGBT。

此次開發(fā)的1700V模塊采用新涂覆材料和新工藝方法，成功地預防了絕緣擊穿，并抑制了漏電流的增加。另外，在高溫高濕反偏試驗中，呈現(xiàn)出極高可靠性，超過1，000小時也未發(fā)生絕緣擊穿現(xiàn)象，從而成功推出了額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊。

在高溫高濕環(huán)境下確保行業(yè)領先的可靠性

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1700V全SiC功率模塊BSM250D17p2E004通過采用新涂覆材料作為芯片的保護對策，并引進新工藝方法，使模塊通過了高溫高濕反偏試驗（HV-H3TRB：HighVoltageHighHumidityHighTemperatureReverseBias）。

對BSM250D17p2E004和同等IGBT模塊實施了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗，試驗條件為在85℃/85%的高溫高濕環(huán)境下，施加1360V。試驗結果是IGBT模塊比較早期出現(xiàn)絕緣劣化或絕緣擊穿導致的漏電流增加現(xiàn)象，在1，000小時內發(fā)生了故障。而新開發(fā)的SiC功率模塊即使超出1，000小時也未發(fā)生絕緣擊穿，表現(xiàn)出極高的可靠性。

導通電阻更低，有助于進一步降低設備損耗

構成BSM250D17p2E004的SiCSBD（肖特基勢壘二極管）和SiCMOSFET全部由ROHM生產(chǎn)。通過SiCSBD和SiCMOSFET的最佳組合配置，使導通電阻低于同等普通產(chǎn)品10%。這將非常有助于進一步降低應用的能耗。

SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容