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鋰離子電池保護(hù)板重要零件的功能有什么

鉅大鋰電  |  點(diǎn)擊量:0  |  2020年10月26日  

R1:基準(zhǔn)供電電阻;與IC內(nèi)部電阻構(gòu)成分壓電路,控制內(nèi)部過(guò)充、過(guò)放電壓比較器的電平翻轉(zhuǎn);一般在阻值為330、470比較多;當(dāng)封裝形式(即用標(biāo)準(zhǔn)元件的長(zhǎng)和寬來(lái)表示元件大小,如0402封裝標(biāo)識(shí)此元件的長(zhǎng)和寬分別為1.0mm和0.5mm)較大時(shí),會(huì)用數(shù)字標(biāo)識(shí)其阻值,如貼片電阻上數(shù)字標(biāo)識(shí)473,即表示其阻值為47000即47K(第三位數(shù)表示在前兩位后面加0的位數(shù))。


R2:過(guò)流、短路檢測(cè)電阻;通過(guò)檢測(cè)VM端電壓控制保護(hù)板的電流,焊接不良、損壞會(huì)造成電池過(guò)流、短路無(wú)保護(hù),一般阻值為1K、2K較多。


R3:ID識(shí)別電阻或NTC電阻(前面有介紹)或兩者都有。


總結(jié):電阻在保護(hù)板中為黑色貼片,用萬(wàn)用表可測(cè)其阻值,當(dāng)封裝較大時(shí)其阻值會(huì)用數(shù)字表示,表示方法如上所述,當(dāng)然電阻阻值一般都有偏差,每個(gè)電阻都有精度規(guī)格,如10K電阻規(guī)格為+/-5%精度則其阻值為9.5K-10.5K范圍內(nèi)都為合格。


C1、C2:由于電容兩端電壓不能突變,起瞬間穩(wěn)壓和濾波用途。總結(jié):電容在保護(hù)板中為黃色貼片,封裝形式0402較多,也有少數(shù)0603封裝(1.6mm長(zhǎng),0.8mm寬);用萬(wàn)用表檢測(cè)其阻值一般為無(wú)窮大或M級(jí)別;電容漏電會(huì)出現(xiàn)自耗電大,短路無(wú)自恢復(fù)現(xiàn)象。FUSE:普通FUSE或PTC(PositiveTemperatureCoefficient的縮寫,意思是正溫度系數(shù));防止不安全大電流和高溫放電的發(fā)生,其中PTC有自恢復(fù)功能。


總結(jié):FUSE在保護(hù)板中一般為白色貼片,LITTE公司供應(yīng)FUSE會(huì)在FUSE上標(biāo)識(shí)字符D-T,字符表示意思為FUSE能承受的額定電流,如表示D額定電流為0.25A,S為4A,T為5A等。


U1:控制IC;保護(hù)板所有功能都是IC通過(guò)監(jiān)視連接在VDD-VSS間的電壓差及VM-VSS間的電壓差而控制C-MOS執(zhí)行開關(guān)動(dòng)作來(lái)實(shí)現(xiàn)的。


Cout:過(guò)充控制端;通過(guò)MOS管T2柵極電壓控制MOS管的開關(guān)。


Dout:過(guò)放、過(guò)流、短路控制端;通過(guò)MOS管T1柵極電壓控制MOS管的開關(guān)。


VM:過(guò)流、短路保護(hù)電壓檢測(cè)端;通過(guò)檢測(cè)VM端的電壓實(shí)現(xiàn)電路的過(guò)流、短路保護(hù)

(U(VM)=I*R(MOSFET))。


總結(jié):IC在保護(hù)板中一般為6個(gè)管腳的封裝形式,其差別管腳的方法為:在封裝體上標(biāo)識(shí)黑點(diǎn)的附近為第1管腳,然后逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)分別為第2、3、4、5、6管腳;如封裝體上無(wú)黑點(diǎn)標(biāo)識(shí),則正看封裝體上字符左下為第1管腳,其余管腳逆時(shí)針類推)C-MOS:場(chǎng)效應(yīng)開關(guān)管;保護(hù)功能的實(shí)現(xiàn)者;連焊、虛焊、假焊、擊穿時(shí)會(huì)造成電池?zé)o保護(hù)、無(wú)顯示、輸出電壓低等不良現(xiàn)象。


總結(jié):CMOS在保護(hù)板中一般為8個(gè)管腳的封裝形式,它時(shí)由兩個(gè)MOS管構(gòu)成,相當(dāng)于兩個(gè)開關(guān),分別控制過(guò)充保護(hù)和過(guò)放、過(guò)流、短路保護(hù);其管腳區(qū)分方法和IC相同。


在保護(hù)板正常情況下,Vdd為高電平,Vss、VM為低電平,Dout、Cout為高電平;當(dāng)Vdd、Vss、VM任何一項(xiàng)參數(shù)變換時(shí),Dout或Cout的電平將發(fā)生變化,此時(shí)MOSFET執(zhí)行相應(yīng)的動(dòng)作(開、關(guān)電路),從而實(shí)現(xiàn)電路的保護(hù)和恢復(fù)功能。


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