維護(hù)集成電路性能的要求

1.超充維護(hù)精度高

當(dāng)鋰離子電池過充時(shí)，為了防止因溫度升高而引起的內(nèi)部壓力升高，應(yīng)停止充電狀態(tài)。維護(hù)IC將檢測(cè)電池電壓，當(dāng)檢測(cè)到過充時(shí)，過充檢測(cè)功率MOSFET將導(dǎo)致其阻塞和停止充電。目前要注意的是過充檢測(cè)電壓的精度高。當(dāng)電池充電時(shí)，用戶最關(guān)心的是讓電池充滿電，并考慮到安全問題。因此，當(dāng)達(dá)到允許電壓時(shí)，應(yīng)切斷充電狀態(tài)。為了將這兩種情況結(jié)合在一起，必須有一個(gè)高精度的探測(cè)器。現(xiàn)在探測(cè)器的精度是25mV，還要進(jìn)一步提高。

2.降低維修IC的功耗

隨著時(shí)間的推移，充電后的鋰離子電池的電壓會(huì)逐漸降低，直至低于規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)值，此時(shí)要對(duì)電池進(jìn)行充電。假如電池持續(xù)使用而不充電，則電池可能因過度放電而不能持續(xù)使用。為了防止過度放電，維護(hù)IC要對(duì)電池電壓進(jìn)行測(cè)試，當(dāng)電池電壓低于過度放電檢測(cè)電壓時(shí)，必須堵塞放電側(cè)的功率MOSFET，使放電停止。但目前電池本身仍有自然放電和維護(hù)IC消耗電流存在，因此要將IC消耗電流保持到最小。

3.過流/短路維護(hù)要低檢測(cè)電壓和高精度

假如短路原因不明，應(yīng)立即停止放電。過流檢測(cè)采用功率MOSFET的Rds(on)作為感應(yīng)阻抗，監(jiān)測(cè)其電壓降。假如此時(shí)電壓高于過流檢測(cè)電壓，則停止放電。為了使功率MOSFETRds()有效的充電電流和放電電流應(yīng)用程序,要使盡可能低阻抗值,現(xiàn)在阻抗約20m~30m,當(dāng)前電壓可以低。

4.耐高壓

當(dāng)電池組與充電器連接時(shí)，會(huì)瞬間出現(xiàn)高電壓，因此維護(hù)IC應(yīng)滿足高電壓電阻的要求。

5.電池功耗低

在維護(hù)過程中，要將靜態(tài)功耗電流降低0.1A。

6.0伏充電

在存儲(chǔ)過程中，一些電池可能由于時(shí)間過長(zhǎng)或異常原因被降至0V，所以維護(hù)IC的需求也可以在0V充電。

保持集成電路發(fā)展前景

如前所述，未來的維修IC將進(jìn)一步提高檢測(cè)電壓的精度，降低維修IC的功耗，提高防止誤操作等功能。充電器接線端子的高壓電阻也是研究和開發(fā)的重點(diǎn)。在包裝方面，sot23-6已經(jīng)逐步過渡到SON6包裝，未來將會(huì)有CSP包裝，甚至COB產(chǎn)品來滿足目前強(qiáng)調(diào)的輕量化和短化的要求。

在功能上，維修IC不要集成所有的功能，根據(jù)不同的鋰離子電池?cái)?shù)據(jù)通告一個(gè)單獨(dú)的維修IC，如只有過充維修或過釋維修功能，這樣可以大大降低成本和規(guī)模。

功能模塊,當(dāng)然,單晶是相同的目標(biāo),比如手機(jī)制造商正面對(duì)現(xiàn)在保持集成電路,充電電路和電源管理IC,及其他外圍電路和邏輯集成電路芯片構(gòu)成雙芯片,但現(xiàn)在我想讓開路阻抗功率MOSFET的秋天,與其他IC集成,即使通過特殊技能到單片機(jī),資本會(huì)太高,我怕。因此，解決IC單晶化的維護(hù)要一定的時(shí)間。