光伏技術可直接將太陽的光能轉換為電能，用此技術制作的光電池使用方便，特別是近年來微小型半導體逆變器迅速發(fā)展，促使其應用更加快捷。美、日、歐和發(fā)展中國家都制定出龐大的光伏技術發(fā)展計劃，開發(fā)方向是大幅度提高光電池轉換效率和穩(wěn)定性，降低成本，不斷擴大產業(yè)。目前已有80多個國家和地區(qū)形成商業(yè)化、半商業(yè)化生產能力，年均增長達16％，市場開拓從空間轉向地面系統(tǒng)應用，甚至用于驅動交通工具。據報道，全球發(fā)展、建造太陽能住宅（光電池作屋頂、外墻、窗戶等建材用）投資規(guī)模為600億美元，而到2005年還會再翻一倍達1200億美元，光伏技術制作的光電池有望成為21世紀的新能源。以下按其材料分類，展示光伏技術、產業(yè)及市場發(fā)展動向。

晶體硅光電池

晶體硅光電池有單晶硅與多晶硅兩大類，用P型（或n型）硅襯底，通過磷（或硼）擴散形成Pn結而制作成的，生產技術成熟，是光伏市場上的主導產品。采用埋層電極、表面鈍化、強化陷光、密柵工藝、優(yōu)化背電極及接觸電極等技術，提高材料中的載流子收集效率，優(yōu)化抗反射膜、凹凸表面、高反射背電極等方式，光電轉換效率有較大提高。單晶硅光電池面積有限，目前比較大的為Φ10至20cm的圓片，年產能力46MW／a。目前主要課題是繼續(xù)擴大產業(yè)規(guī)模，開發(fā)帶狀硅光電池技術，提高材料利用率。國際公認最高效率在AM1.5條件下為24％，空間用高質量的效率在AM0條件約為13.5?18％，地面用大量生產的在AM1條件下多在11?18％之間。以定向凝固法生長的鑄造多晶硅錠代替單晶硅，可降低成本，但效率較低。優(yōu)化正背電極的銀漿和鋁漿絲網印刷，切磨拋工藝，千方百計進一步降成本，提高效率，大晶粒多晶硅光電池的轉換效率最高達18.6％。

非晶硅光電池

a-Si（非晶硅）光電池一般采用高頻輝光放電方法使硅烷氣體分解沉積而成的。由于分解沉積溫度低，可在玻璃、不銹鋼板、陶瓷板、柔性塑料片上沉積約1μm厚的薄膜，易于大面積化（0.5m×1.0m），成本較低，多采用pin結構。為提高效率和改善穩(wěn)定性，有時還制成三層pin等多層疊層式結構，或是插入一些過渡層。其商品化產量連續(xù)增長，年產能力45MW／a，10MW生產線已投入生產，全球市場用量每月在1千萬片左右，居薄膜電池首位。發(fā)展集成型a-Si光電池組件，激光切割的使用有效面積達90％以上，小面積轉換效率提高到14.6％，大面積大量生產的為8-10％，疊層結構的最高效率為21％。研發(fā)動向是改善薄膜特性，精確設計光電池結構和控制各層厚度，改善各層之間界面狀態(tài)，以求得高效率和高穩(wěn)定性。

多晶硅光電池

p-Si（多晶硅，包括微晶）光電池沒有光致衰退效應，材料質量有所下降時也不會導致光電池受影響，是國際上正掀起的前沿性研究熱點。在單晶硅襯底上用液相外延制備的p-Si光電池轉換效率為15.3％，經減薄襯底，加強陷光等加工，可提高到23.7％，用CVD法制備的轉換效率約為12.6-17.3％。采用廉價襯底的p-Si薄膜生長方法有PECVD和熱絲法，或對a-Si：H材料膜進行后退火，達到低溫固相晶化，可分別制出效率9.8％和9.2％的無退化電池。微晶硅薄膜生長與a-Si工藝相容，光電性能和穩(wěn)定性很高，研究受到很大重視，但效率僅為7.7％。大面積低溫p-Si膜與-Si組成疊層電池結構，是提高a-S光電池穩(wěn)定性和轉換效率的重要途徑，可更充分利用太陽光譜，理論計算表明其效率可在28％以上，將使硅基薄膜光電池性能產生突破性進展。

銅銦硒光電池

CIS（銅銦硒）薄膜光電池已成為國際光伏界研究開發(fā)的熱門課題，它具有轉換效率高（已達到17.7％），性能穩(wěn)定，制造成本低的特點。CIS光電池一般是在玻璃或其它廉價襯底上分別沉積多層膜而構成的，厚度可做到2?3μm，吸收層CIS膜對電池性能起著決定性作用。現(xiàn)已開發(fā)出反應共蒸法和硒化法（濺射、蒸發(fā)、電沉積等）兩大類多種制備方法，其它外層通常采用真空蒸發(fā)或濺射成膜。阻礙其發(fā)展的原因是工藝重復性差，高效電池成品率低，材料組分較復雜，缺乏控制薄膜生長的分析儀器。CIS光電池正受到產業(yè)界重視，一些知名公司意識到它在未來能源市場中的前景和所處地位，積極擴大開發(fā)規(guī)模，著手組建中試線及制造廠。

碲化鎘光電池

CdTe（碲化鎘）也很適合制作薄膜光電池，其理論轉換效率達30％，是非常理想的光伏材料。可采用升華法、電沉積、噴涂、絲網印刷等10種較簡便的加工技術，在低襯底溫度下制造出效率12％以上的CdTe光電池，小面積CdTe光電池的國際先進水平光電轉換率為15.8％，一些公司正深入研究與產業(yè)化中試，優(yōu)化薄膜制備工藝，提高組件穩(wěn)定性，防范Cd對環(huán)境污染和操作者的健康危害。

砷化鎵光電池

GaAs（砷化鎵）光電池大多采用液相外延法或MOCVD技術制備。用GaAs作襯底的光電池效率高達29.5％（一般在19.5％左右），產品耐高溫和輻射，但生產成本高，產量受限，目前主要作空間電源用。以硅片作襯底，用MOCVD技術異質外延方法制造GaAs電池是降低成本很有希望的方法。

其它材料光電池

InP（磷化銦）光電池的抗輻射性能特別好，效率達17?19％，多用于空間方面。采用SiGe單晶襯底，研制出在AM0條件下效率大于20％的GaAs／Si異質結外延光電池，最高效率23.3％。Si／Ge／GaAs結構的異質外延光電池在不斷開發(fā)中，控制各層厚度，適當變化結構，可使太陽光中各種波長的光子能量都得到有效利用，GaAs基多層結構光電池效率已接近40％。